| 发明名称 |
Fremgangsmåde til dannelse af germaniumdioxidlag med tetragonal krystalstruktur på et legeme af germanium til brug som maske ved dotering. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DK117481(B) |
申请公布日期 |
1970.05.04 |
| 申请号 |
DK19630003772 |
申请日期 |
1963.08.07 |
| 申请人 |
THE GENERAL ELECTRIC AND ENGLISH ELECTRIC COMPANIES LIMITED |
发明人 |
STANLEY EDWIN BRADSHAW;JOHN GEORGE WILKES |
| 分类号 |
C23C22/02;C25D11/32;H01L21/3105;(IPC1-7):B01J17/38 |
主分类号 |
C23C22/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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