发明名称 P-leitendes floatendes Gate aus Poly-Silizium zur Verwendung bei einem Halbleiterbautransistorelement und daraus hergestelltes Flash-E·2·PROM
摘要
申请公布号 DE4241457(B4) 申请公布日期 2006.05.24
申请号 DE19924241457 申请日期 1992.12.09
申请人 MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 LEE, ROGER R.
分类号 H01L21/8247;H01L29/788;G11C16/04;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/49;H01L29/792 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
主权项
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