| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer mehrere Zonen und mehrere Übergänge aufweisenden Halbleitervorrichtung |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AT281121(B) |
申请公布日期 |
1970.05.11 |
| 申请号 |
AT19680006992 |
申请日期 |
1968.07.19 |
| 申请人 |
WESTINGHOUSE BRAKE ENGLISH ELECTRIC SEMI-CONDUCTORS LIMITED |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/18;H01L29/00;(IPC1-7):H01L7/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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