HIGH VOLTAGE MOSFET HAVING SI/SIGE HETERO STRUCTURE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME,申请号KR20040094283-传众专利搜索

发明名称	HIGH VOLTAGE MOSFET HAVING SI/SIGE HETERO STRUCTURE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号	KR20060054991(A)	申请公布日期	2006.05.23
申请号	KR20040094283	申请日期	2004.11.17
申请人	ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE	发明人	CHO, YOUNG KYUN;KWON, SUNG KU;ROH, TAE MOON;LEE, DAE WOO;KIM, JONG DAE
分类号	H01L21/335	主分类号	H01L21/335
代理机构		代理人
主权项
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