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发明名称 METHOD FOR FORMING ISOLATION LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20060053435(A) 申请公布日期 2006.05.22
申请号 KR20040093127 申请日期 2004.11.15
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 CHEONG, JUNG TAIK;NAM, KI WON
分类号 H01L21/76;H01L21/762 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人
主权项
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