| 发明名称 |
METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE BETWEEN BIT LINES AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THEREBY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100583965(B1) |
申请公布日期 |
2006.05.22 |
| 申请号 |
KR20040117868 |
申请日期 |
2004.12.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
HWANG, MIN WOOK |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L21/28;H01L21/3205;H01L27/105 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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