PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DE PLAQUES DE SEMI-CONDUCTEUR

摘要

L'invention concerne un procédé de mesure d'une plaque circulaire (10) dans lequel on divise la surface (A) de la plaque en une pluralité (N) d'anneaux concentriques de surface constante (A/N) et on positionne au moins un point de mesure (Pn) sur chaque anneau. Le rayon extérieur (Rn) de chaque anneau est calculé à partir de la formule suivante :Rn = RN(n/N)1/2avec n variant de 1 à N.De cette façon, on obtient des anneaux de plus en plus étroits à mesure que l'on s'éloigne du centre de la plaque, ce qui permet d'avoir des points de mesure de plus en plus rapprochés vers le bord de la plaque et de couvrir uniquement la zone utile (11) de la plaque (10) à mesurer et de garantir qu'aucune de mesure ne soit effectuée dans une zone d'exclusion annulaire (12).