| 发明名称 |
Halbleitereinrichtung und Verfahren für deren Herstellung |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Halbleitereinrichtung 30, umfassend eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode mit integrierter PN-Diode, sowie Verfahren für deren Herstellung.</p> |
| 申请公布号 |
DE102004053761(A1) |
申请公布日期 |
2006.05.18 |
| 申请号 |
DE20041053761 |
申请日期 |
2004.11.08 |
| 申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
GOERLACH, ALFRED;QU, NING |
| 分类号 |
H01L29/872;B60R16/03;H01L21/329;H01L23/62;H01L29/866 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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