HIGH RATE ETCHING USING HIGH PRESSURE F2 PLASMA WITH ARGON DILUTION,申请号KR20050039816-传众专利搜索

发明名称	HIGH RATE ETCHING USING HIGH PRESSURE F2 PLASMA WITH ARGON DILUTION
摘要
申请公布号	KR20060047824(A)	申请公布日期	2006.05.18
申请号	KR20050039816	申请日期	2005.05.12
申请人	THE BOC GROUP, INC.	发明人	MCFARLANE GRAHAM;HOGLE RICHARD;BAILEY CHRISTOPHER
分类号	H01L21/3065	主分类号	H01L21/3065
代理机构		代理人
主权项
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