| 发明名称 | 低热阻器件的形成方法和结构 | ||
| 摘要 | 形成一种半导体器件，以具有减小半导体器件的热阻的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1773669A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510113567.0 | 申请日期 | 2005.10.13 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 纳拉扬·拉贾;罗杰·P·斯托特 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/22(2006.01);H01L23/367(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的形成方法，包括：以具有在半导体基板的表面上具有第一长度的第一周边并具有第一面积的器件形状，形成半导体器件的掺杂区；以及布置所述掺杂区，以形成四边多角形的器件形状，其中第一长度是围绕具有第一面积的圆的圆周的第一距离的约1.8至2.4倍。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||