发光器件

摘要

公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

主权项

1、一种发光器件，该器件包含：氮化物半导体衬底(1)；n-型氮化物半导体层(3)，位于氮化物半导体衬底的第一主表面侧；p-型氮化物半导体层(5)，位于第一主表面侧，被安置在离氮化物半导体衬底比n-型氮化物半导体层更远处；和发光层(4)，位于第一主表面侧，被安置在n-型氮化物半导体层和p-型氮化物半导体层之间，其中氮化物半导体衬底的电阻率为0.5Ω·cm或更小，p-型氮化物半导体层侧是向下安装的，以使光从位于氮化物半导体衬底的第二主表面发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。