| 发明名称 | 通过原子层沉积用于沉积铜膜的挥发性铜(Ⅰ)配合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及新型1，3－二亚胺铜配合物以及1，3－二亚胺铜配合物在原子层沉积工艺中用于在基材上或在多孔固体中或上沉积铜的用途。 | ||
| 申请公布号 | CN1774523A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200480009875.2 | 申请日期 | 2004.04.16 |
| 申请人 | 纳幕尔杜邦公司 | 发明人 | A·Z·布拉德利;J·S·汤普森 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B29/02(2006.01);C07C249/02(2006.01);C07C249/16(2006.01) | 主分类号 | C23C16/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 关立新;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种用于在基材上形成铜沉积的方法，包括：a.将基材与铜配合物(I)接触，以形成在基材上的铜配合物的沉积物；和<img file="A2004800098750002C1.GIF" wi="466" he="662" />b.将沉积的铜配合物与还原剂接触，其中L是包含2-15个碳的烯烃；R<sup>1</sup>和R<sup>4</sup>独立地选自氢，甲基，乙基，丙基，异丙基，异丁基，和新戊基；R<sup>2</sup>和R<sup>3</sup>独立地选自苯基和C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基基团；和所述还原剂选自9-BBN；二硼烷；BR<sub>x</sub>H<sub>3-x</sub>形式的硼烷，其中x＝0，1或2，和R独立地选自苯基和C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基基团；二氢苯并呋喃；吡唑啉；二硅烷；SiR′<sub>y</sub>H<sub>4-y</sub>形式的硅烷，其中y＝0，1，2或3，和R′独立地选自苯基和C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基基团；和GeR″<sub>z</sub>H<sub>4-z</sub>形式的锗烷，其中z＝0，1，2，或3，和R″独立地选自苯基和C<sub>1</sub>-C<sub>10</sub>烷基基团。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||