| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 有关本发明的半导体装置，作为基板采用SiC，同时通过等离子处理形成绝缘膜。此时，在绝缘膜中含有稀有气体。优选作为稀有气体，包括氪(Kr)、氩(Ar)、氙(Xe)中的至少一种。特别优选氧气与氪(Kr)的组合。 | ||
| 申请公布号 | CN1774797A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200480010336.0 | 申请日期 | 2004.04.13 |
| 申请人 | 大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;寺本章伸 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，具备：由SiC组成的半导体基板；和在所述半导体基板上形成的绝缘膜，所述绝缘膜通过等离子处理形成、至少一部分含有稀有气体。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||