| 发明名称 | X射线探测器 | ||
| 摘要 | 一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括X射线一入射而在其中生成电荷的一个半导体以及在该半导体相对侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极。这种半导体是掺入了预定量的某种碱金属的非晶硒(a-Se)。 | ||
| 申请公布号 | CN1256065C | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN03110679.X | 申请日期 | 2003.04.22 |
| 申请人 | 株式会社岛津制作所;新电元工业株式会社;山梨电子工业株式会社 | 发明人 | 佐藤贤治;佐藤敏幸;中山贵之;志村阳一郎;岛和彦 |
| 分类号 | A61B6/00(2006.01);H05G1/02(2006.01);H01L31/115(2006.01) | 主分类号 | A61B6/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
| 主权项 | 1.一种用于探测X射线的X射线探测器，它包括：一个半导体，用于X射线一入射，在所述半导体中产生电荷；和在该半导体的上侧和下侧上形成的用于施加某一预定偏压的电极；其中所述的半导体是掺入预定量的某种碱金属或碱土金属的非晶硒。 | ||
| 地址 | 日本国京都府 | ||