| 发明名称 | 高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶；并利用脉冲激光沉积(PLD)技术，在生长室中充入高纯氮气，利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。 | ||
| 申请公布号 | CN1256756C | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN03131920.3 | 申请日期 | 2003.06.18 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 刘治国;朱俊 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01);H01L21/316(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/283(2006.01) |
| 代理机构 | 南京苏高专利事务所 | 代理人 | 阙如生 |
| 主权项 | 1、一种高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜，其特征在于其分子式为HfAl2O5-xNY，其中X和Y是小于1的量。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||