发明名称 |
掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法 |
摘要 |
一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法,用于光电子材料领域。方法如下:采用铱坩埚为发热体,原料经焙烧后按比例进行称量;原料经称配,研混均匀后,压紧成块并高温烧结,烧结好的原料置于铱坩埚中,装炉;单晶炉抽高真空,用氧化锆作保温罩及保温材料,惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,用蓝宝石片及刚玉片改善热场,将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖,且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑,石英片放置在泡沫砖上,并覆盖泡沫砖的观察窗口,刚玉片放置于上保温系统顶部。本发明有效防止了晶体开裂,不仅生长得到了完整b轴Tm:YAP晶体,晶体无色透明,外观良好,有优良的光学性能,也得到了a轴、c轴的完整晶体。 |
申请公布号 |
CN1256470C |
申请公布日期 |
2006.05.17 |
申请号 |
CN200410016774.X |
申请日期 |
2004.03.04 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
孙宝德;陆燕玲;王俊;李胜华;巫瑞智;张佼 |
分类号 |
C30B15/00(2006.01);C30B15/04(2006.01);C30B29/24(2006.01) |
主分类号 |
C30B15/00(2006.01) |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1、一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法,其特征在于,方法步骤如下:(1)采用中频感应加热提拉法生长Tm:YAP晶体,发热体为铱坩埚,原料经焙烧后按下式所示比例进行称量:Al2O3+(1-x)Y2O3+xTm2O3=2[Y1-xTmxAlO3]其中x为熔体中掺杂Tm原子的摩尔分数,晶体中的掺杂浓度则是x与分凝系数的乘积;(2)原料经称配,研混均匀后,在液压机下压紧成块并在1300℃的高温下烧结发生固相反应,烧结好的原料置于铱坩埚中,装炉;(3)单晶炉抽高真空,用氧化锆作保温罩及保温材料,惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,采用提拉法生长Tm:YAP晶体时,用蓝宝石片及刚玉片改善热场,将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖,且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑,宝石片放置在泡沫砖上方,并完全覆盖泡沫砖的观察窗口,刚玉片放置于上保温系统顶部。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |