| 发明名称 | 负离子搪瓷及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种负离子搪瓷及其制作方法。本发明的负离子搪瓷的组分和重量百分比含量包括：搪瓷基料80-95％，电气石5-20％。本发明采用搪瓷作为电气石粉体的载体，能够最大可能发挥电气石产生负离子的功能，将加入电气石粉体的搪瓷制作成各种产品后，如浴缸、面盆、茶缸等，会产生不同的功效。本发明制作工艺简单，成本低廉，安全可靠，可以批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1256291C | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200410024769.3 | 申请日期 | 2004.05.28 |
| 申请人 | 东华大学 | 发明人 | 王瑛;蒋伟忠;陈丽芸;叶正涛 |
| 分类号 | C03C8/22(2006.01);C03C8/04(2006.01);C03C8/06(2006.01);C23D1/00(2006.01) | 主分类号 | C03C8/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 罗大忱 |
| 主权项 | 1.一种负离子搪瓷，其特征在于，组分和重量百分比含量包括：搪瓷基料80-95％电气石5-20％。 | ||
| 地址 | 200051上海市延安西路1882号 | ||