发明名称 | 半导体激光器件制造方法和半导体激光器件 | ||
摘要 | 公开了一种半导体激光器件制造方法,依次包括:第一老化步骤S1、第一检查步骤S2、安装步骤S3、第二老化步骤S4和第二检查步骤S5。由于在半导体激光器芯片上以高温直流电流通电的第一老化步骤S1在安装步骤S3之前执行,因此能够减小安装前半导体激光器芯片的阈值电流和驱动电流。 | ||
申请公布号 | CN1773790A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
申请号 | CN200510120290.4 | 申请日期 | 2005.11.09 |
申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 竹冈忠士;石仓卓郎 |
分类号 | H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种半导体激光器件制造方法,包括:第一老化步骤,用于在不低于储存温度的设定环境温度下,使直流电流流过半导体激光器芯片一设定时间;以及安装步骤,用于安装已经进行过所述第一老化步骤的所述半导体激光器芯片。 | ||
地址 | 日本大阪府 |