一种Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法

摘要

本发明公开的Li－N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法，以高纯N₂O为生长气氛，在反应室中电离，N₂O为氮掺杂源，在10～20Pa的压强下，以ZnO－Li₂O高纯陶瓷片为靶材，在衬底上沉积生成Li－N共掺杂的p型ZnO晶体薄膜。本发明方法在ZnO晶体薄膜生长过程中可以同时实现Li、N的共同实时掺杂，通过调节靶材中Li₂O的含量、生长气氛中N₂O的压强和电离电压、激光束能量和激光脉冲频率可以调节p型掺杂浓度，制得的p－ZnO薄膜具有良好p型传导特性，电学性能，重复性和稳定性。

主权项

1.Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，其特征是：将衬底清洗后放入激光脉冲沉积装置的反应室中，反应室真空度抽到至少5×10-4Pa，以Li2O的质量百分含量为0.05～1.5％的ZnO-Li2O陶瓷片为靶材，以纯N2O为生长气氛，在反应室中电离，在气体压强为10～20Pa，衬底温度为400～600℃下，进行沉积生长。