集成电路光电探测器的光学增强

摘要

本发明揭示一种半导体集成电路结构及其制作方法。该半导体集成电路结构包括一与一半导体衬底成一体的光敏装置、一设置于该光敏装置上面的覆盖介电层及一设置于该覆盖介电层上的透镜形成介电层(lens－formationdielectriclayer)。光可透射过该覆盖介电层；且可透射过该透镜形成介电层。该透镜形成介电层形成一嵌入式凸微透镜。该微透镜将光引导至光敏装置上。

主权项

1、一种半导体集成电路结构，其包括：一与一半导体衬底成一体的光敏装置，其中所述半导体衬底是硅；一设置于所述光敏装置上的第一介电层，其中光可透射过所述第一介电层且其中所述第一介电层由硅化物阻挡材料制成；及一设置于所述第一介电层上的第二介电层，其中光可透射过所述第二介电层，其中在一预选定光频率下所述第一介电层的折射率处于所述半导体衬底的折射率与所述第二介电层的折射率的乘积的平方根的百分之二十五以内，且其中所述第一介电层的厚度处于所述第一介电层中所述预选定频率下的光的四分之一波长的百分之二十五以内。