发明名称 | 集成电路元件 | ||
摘要 | 本实用新型提供一种集成电路元件,包括:具有至少存储器单元区与至少周边电路区的基底;多个绝缘结构位于存储器单元区中;多个主动区,每个主动区皆位于多个绝缘结构的邻近处间;以及多层栅极电极层,每层栅极电极层皆位于多个绝缘结构的邻近处间且位于所对应的多个主动区上,每层多层栅极电极层的宽度大于与栅极电极层接触的相邻绝缘结构的间隔宽度。 | ||
申请公布号 | CN2781573Y | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
申请号 | CN200420116030.0 | 申请日期 | 2004.12.03 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈汉平;喻中一 |
分类号 | H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;卢瑞英 |
主权项 | 1、一种集成电路元件,其特征在于所述集成电路元件包括:一具有至少一存储器单元区与至少一周边电路区的基底;多个绝缘结构位于该存储器单元区中;多个主动区,每个该主动区皆位于该多个绝缘结构的邻近处间;以及多层栅极电极层,每层该栅极电极层皆位于该多个绝缘结构的邻近处间且位于一所对应的该多个主动区上,每层该多层栅极电极层的宽度大于与该栅极电极层接触的相邻绝缘结构的间隔宽度。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |