| 发明名称 | CMOS硅双光电探测器 | ||
| 摘要 | CMOS硅双光电探测器，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO<SUB>2</SUB>绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面，SiO<SUB>2</SUB>绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO<SUB>2</SUB>绝缘介质层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1773712A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510118918.7 | 申请日期 | 2005.10.26 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 陈朝;卞剑涛 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人 | 马应森 |
| 主权项 | 1、CMOS硅双光电探测器，其特征在于设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。 | ||
| 地址 | 361005福建省厦门市思明南路422号 | ||