| 发明名称 | TFT测试仪和测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是使用对TFT没有负面影响(污染、损坏等)的非接触电流源对具有断开且暴露的源极或漏极电极的TFT的电特性进行测试。根据本发明，提供一种用于TFT阵列衬底(14)的测试仪(100)，包括：用于供给离子流到衬底(14)的表面上的离子流供给装置(16、18)，所述衬底(14)的表面上形成TFTs的阵列(12)，每个TFT连接到一个电极上，源极和漏极之一是断开且暴露的；用于供给工作电压到阵列中被测试的TFT栅电极的控制电路(24)；和用于测量通过测试的未断开的TFT源极或漏极的工作电流的测量电路(24)。 | ||
| 申请公布号 | CN1773300A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510099978.9 | 申请日期 | 2005.09.12 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 井村健一;中野大树;坂口佳民 |
| 分类号 | G01R31/00(2006.01);G01M11/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | G01R31/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种TFT测试仪，包括：用于供给离子流到衬底表面的离子流供给装置，在所述衬底上形成源极电极和漏极电极之一断开且暴露的TFT；用于供给工作电压到TFT栅电极的控制电路；和用于测量通过未断开的TFT电极的工作电流的测量电路。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||