| 发明名称 | 一种形成暨测试一相移掩膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成暨测试一相移掩膜(phase shift mask，PSM)的方法。首先于一掩膜基底上的一主要图案区域中形成一第一图案、至少一第二图案以及至少一第三图案，以形成该相移掩膜，再利用该相移掩膜，将该第一、第二与第三图案转移至一半导体芯片上。最后利用转移至该半导体芯片上的该第二与第三图案，进行一相移掩膜测试(PSM test)。 | ||
| 申请公布号 | CN1256753C | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN03121280.8 | 申请日期 | 2003.04.01 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杜林炘;林坤荣 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01);G03F7/00(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/027(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 马娅佳 |
| 主权项 | 1.一种形成暨测试一相移掩膜的方法，该方法包含有下列步骤：提供一掩膜基底，且该掩膜基底中定义有一主要图案区域，以及一空白周边环绕于该主要图案区域的外围；于该主要图案区域中形成一第一图案、至少一第二图案以及至少一第三图案，形成所述相移掩膜；利用该相移掩膜进行一图案转移工艺，以使该第一图案、该第二图案以及该第三图案转移至一半导体芯片上；以及利用转移至该半导体芯片上的该第二图案以及该第三图案，进行一相移掩膜测试。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||