非易失性存储单元、这种存储单元的阵列及制造方法

摘要

在具有第一导电类型和表面的单晶半导电材料衬底内制造非易失性存储单元。沟槽位于表面内并延伸进入衬底至第一深度并至比第一深度深的第二深度。该沟槽具有沿沟槽延伸到第一深度的第一侧壁，和沿沟槽从第一深度延伸到第二深度的第二侧壁，以及沿沟槽底部的底壁。第二导电类型的第一区位于衬底内并沿沟槽的底部。第二导电类型的第二区位于衬底内并沿沟槽的表面。沟道区位于第一区和第二区之间的衬底内。控制栅从衬底的表面延伸进入沟槽至第二深度，并与底部绝缘。该控制栅与沟槽的第二侧壁相邻并与其绝缘。浮置栅位于沟槽的第一侧壁和控制栅之间，与沟槽的第一侧壁相邻并与其绝缘。

主权项

1.一种非易失性存储单元，包括：衬底，其由基本单晶半导电材料构成，具有第一导电类型并具有表面；沟槽，其在所述表面内延伸进入所述衬底至第一深度并至比所述第一深度深的第二深度；所述沟槽具有沿所述沟槽延伸到所述第一深度的第一侧壁，和沿所述沟槽从所述第一深度延伸到所述第二深度的第二侧壁，以及沿所述沟槽的底部的底壁，所述衬底内具有第二导电类型的第一区，沿所述沟槽的所述底部；所述衬底内具有所述第二导电类型的第二区，沿所述沟槽的所述表面；沟道区，其位于所述第一区和所述第二区之间的所述衬底内，所述沟道区具有第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述表面和所述第一深度之间并沿所述第一侧壁，以及其中所述第二部分位于所述第一深度和所述第二深度之间并沿所述第二侧壁；控制栅，其从所述衬底的所述表面延伸进入所述沟槽至所述第二深度，并与所述底部绝缘；所述控制栅与所述沟槽的所述第二侧壁相邻并与其绝缘；浮置栅，其位于所述沟槽区的所述第一部分和所述控制栅之间并与所述沟槽的所述第一侧壁相邻并与其绝缘。