一种制备高产量掺铟氧化锌纳米盘的方法

摘要

本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In₂O₃粉和C粉按摩尔比Zn∶In₂O₃∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。

主权项

1、一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，其特征在于：具体工艺为：a、将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；b、将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，研磨20～30分钟，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；c、把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计，向管内通入氩、氧混合气体，混合气体中氩为95％～99％，氧为1％～5％；通气速度为200～300标准立方厘米/分钟；在此气氛下将管式炉升温至870℃～900℃并保温20～25分钟；所得产品为掺铟氧化锌六边形纳米盘和十二边形纳米盘。