| 发明名称 | 局部放电减少的绝缘功率半导体模块及制造方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种用于组装局部放电行为减少的功率半导体模块的方法。该方法包括以下步骤：将绝缘衬底接合到底板(11)上；在所述绝缘衬底(2)的一部分上设置第一导电层(4)，使得所述绝缘衬底(2)的至少一个周边顶部区域保持不被所述第一导电层(4)覆盖；将半导体芯片(6)接合到所述第一导电层(4)上；在由所述第一导电层(4)和所述绝缘衬底(2)的所述周边区域形成的第一拐角(24)设置第一绝缘材料(5)的前体(51)；聚合所述第一绝缘材料(5)的前体(51)以形成所述第一绝缘材料(5)；至少部分地利用第二电绝缘材料(8)覆盖所述半导体芯片(6)、所述衬底(2)、所述第一导电层(4)以及所述第一绝缘材料(5)。根据本发明，所述第一绝缘材料(5)的前体(51)是低粘度的单体或低聚体，其在聚合时形成聚合物。还公开了一种局部放电行为减少的半导体模块。 | ||
| 申请公布号 | CN1774801A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200480009083.5 | 申请日期 | 2004.04.01 |
| 申请人 | ABB研究有限公司 | 发明人 | 阿米纳·哈米迪;沃尔夫冈·克纳普;勒克·迈森奇;赫尔穆特·克泽尔 |
| 分类号 | H01L23/24(2006.01);H01L23/373(2006.01);H01L23/498(2006.01) | 主分类号 | H01L23/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种用于组装功率半导体模块的方法，包括以下步骤：在电绝缘衬底(2)的顶部表面的至少一个部分上设置第一导电层(4)，使得所述电绝缘衬底(2)的至少一个周边顶部区域保持不被所述第一导电层(4)覆盖；在由所述第一导电层(4)和所述电绝缘衬底(2)的所述周边区域形成的第一拐角区(24)设置第一电绝缘材料(5)的前体(51)；聚合所述第一电绝缘材料(5)的前体(51)以形成所述第一电绝缘材料(5)；将半导体芯片(6)接合到所述第一导电层(4)上；将所述电绝缘衬底(2)接合到底板(11)上；至少部分地利用第二电绝缘材料(8)覆盖所述半导体芯片(6)、所述电绝缘衬底(2)、所述第一导电层(4)以及所述第一电绝缘材料(5)；特征在于：所述第一电绝缘材料(5)的前体(51)是当聚合时形成聚合物的低粘度的单体或低聚体，并且少量的所述前体(51)被施加到所述第一导电层(4)和所述电绝缘衬底(2)的所述周边区域的交界处。 | ||
| 地址 | 瑞士苏黎世 | ||