发明名称 |
基板处理装置及处理方法 |
摘要 |
一种基板处理装置,具有处理容器、在所述处理容器中设置为夹着被处理基板而对置的第1及第2处理气体供给口、设置为与第1及第2处理气体流大略正交的切口状的第1及第2排气口。所述的第1及第2排气口在所述第1及第2处理气体供给口处,夹着所述被处理基板相对而置。第1处理气体从所述第1处理气体供给口向所述第1排气口的方向,沿着所述被处理基板表面流动,并吸附到所述被处理基板表面上。然后,第2处理气体从所述第2处理气体供给口向所述第2排气口的方向,沿着所述被处理基板表面流动,所述第2处理气体与先前吸附的第1处理气体分子反应,形成1个分子层的高电介质膜。 |
申请公布号 |
CN1256755C |
申请公布日期 |
2006.05.17 |
申请号 |
CN01814042.4 |
申请日期 |
2001.08.10 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
神力博;本间孝治 |
分类号 |
H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/455(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
陆锦华 |
主权项 |
1、一种基板处理装置,其特征在于,它具有:处理容器;设置在所述处理容器中,可保持被处理基板的基板保持台;在所述处理容器中,形成在所述基板保持台的第1侧,对所述基板保持台上的所述被处理基板表面供给第1处理气体的第1处理气体供给装置,其供给气体时,使第1处理气体沿着所述被处理基板表面,从所述第1侧流向与所述第1侧对置的第2侧;所述处理容器中,形成在所述基板保持台的所述第2侧的第1排气口;在所述处理容器中,形成在所述基板保持台的第2侧,对所述基板保持台上的所述被处理基板表面供给第2处理气体的第2处理气体供给装置,其供给气体时,使第2处理气体沿着所述被处理基板表面,从所述第2侧流向所述第1侧;所述处理容器中,形成在所述基板保持台的所述第1侧的第2排气口,所述第1排气口和所述第2排气口分别通过第1和第2排气量调整阀连到排气装置上。 |
地址 |
日本东京都 |