| 发明名称 | 衬托器和气相生长装置 | ||
| 摘要 | 一种衬托器(2)，其中在半导体基板(W)的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板(W)在凹部(2c)中受到大致水平地支承，并且所述凹部(2c)包括用以支承半导体基板(W)的外周侧凹部(20)和形成在所述外周侧凹部(20)内部且自所述外周侧凹部(20)凹入的侧凹部(21)，其中所述外周侧凹部(20)包括基板支承表面(20a)，所述基板支承表面自凹部(2c)的外周侧朝向侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面(20a)中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板(W)的外周边缘内部的一部分半导体基板(W)的背面。 | ||
| 申请公布号 | CN1774794A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200480010125.7 | 申请日期 | 2004.03.12 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 金谷晃一;大塚彻;大濑广树 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/458(2006.01);H01L21/68(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 廖凌玲 |
| 主权项 | 1、一种衬托器，其中在半导体基板的正面上进行单晶薄膜的气相生长时，半导体基板在凹部中受到大致水平地支承，并且所述凹部包括用以支承半导体基板的外周侧凹部和形成在所述外周侧凹部内部且自所述外周侧凹部凹入的中央侧凹部，其中所述外周侧凹部包括基板支承表面，所述基板支承表面自凹部的外周侧朝向中央侧相对于水平表面向下倾斜，并且基板支承表面中除去至少内周边缘之外的区域支承位于半导体基板的外周边缘内部的一部分半导体基板的背面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||