| 发明名称 | 制作半导体晶体管元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管元件的制作方法，包括提供半导体衬底，其具有一主表面；于该主表面上形成一栅极介电层；于该栅极介电层上形成一栅极，该栅极具有侧壁以及上表面；于该栅极的该侧壁上形成一衬垫层；于该衬垫层上形成一氮化硅间隔壁；利用该栅极以及该氮化硅间隔壁作为注入掩模，对该主表面进行离子注入工艺，由此于该主表面的该栅极两侧形成漏极/源极区域；去除该氮化硅间隔壁；以及形成与该衬垫层直接接壤的氮化硅盖层，且该氮化硅盖层具有一特定的应力状态。 | ||
| 申请公布号 | CN1773684A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200410092365.8 | 申请日期 | 2004.11.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 刘毅成;黄俊仁;萧维沧;黄正同;廖宽仰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制作MOS晶体管元件的方法，包含有：提供半导体衬底，其具有一主表面；于该主表面上形成一栅极介电层；于该栅极介电层上形成一栅极，该栅极具有侧壁以及上表面；于该栅极的该侧壁上形成一衬垫层；于该衬垫层上形成一氮化硅间隔壁；利用该栅极以及该氮化硅间隔壁作为注入掩模，对该主表面进行离子注入工艺，由此于该主表面的该栅极两侧形成漏极/源极区域；去除该氮化硅间隔壁；以及形成与该衬垫层直接接壤的覆盖层，且该覆盖层具有一特定的应力状态。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||