| 发明名称 | 半导体基材及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体基材，其包括：单晶硅晶片、位于该表面处、含有硅和锗的松弛单晶层，其中该层表面处的锗含量在10重量％至100重量％的范围内，而周期性设置的空腔的层位于所述表面的下方。本发明还涉及用于制造该半导体基材的方法，以及由该半导体基材所制的sSOI晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN1773677A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510120392.6 | 申请日期 | 2005.11.11 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 迪尔克·丹兹;安德烈亚斯·胡贝尔;赖因霍尔德·瓦利希;布赖恩·墨菲 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L27/12(2006.01);C30B29/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 1、半导体基材，其包括：单晶硅晶片，位于其表面处并含有硅和锗的松弛单晶层，其中该层表面处的锗含量在10重量％至100重量％的范围内，以及位于所述表面之下周期性设置的空腔的层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||