点光源发光二极管结构及其制造方法

摘要

本发明有关一种点光源发光二极管结构及其制造方法。此方法至少包括：提供一基板，于基板之上形成一磊晶结构，此一磊晶结构至少包括缓冲层、多个n型或p型局限层、以及主动层；于磊晶结构之上形成第一电极层；形成一绝缘层与磊晶结构以及第一电极层接合；形成一金属层与第一电极以及该绝缘层接合；图案化金属层，在金属层内形成一接触层以及一连接桥；平台蚀刻磊晶结构，至少在接触层下方剩余的磊晶结构内形成一发光区；形成一第二电极；沉积并图案化钝化层，以形成一打线层。

主权项

1.一种点光源发光二极管结构，至少包含：一基板；一磊晶结构，位于该基板之上，其中该磊晶结构至少包括一图案，该图案位于该磊晶结构光出射表面，该图案至少包括一发光区；一第一电极，位于该磊晶结构之上；一绝缘层，位于该磊晶结构之上，且该绝缘层与该第一电极接合；一接触层，位于该第一电极层上；一打线层，位于部份的该绝缘层上；以及一连接桥，位于另一部份的该绝缘层上，其中该连接桥连接该接触层以及该打线层，且该连接桥具有一宽度，而该宽度小于该发光区的直径范围的二分之一。