| 发明名称 | 薄膜电路的接合结构 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供具备透明电极层和Al合金电极层的薄膜电路中即使不具备所谓的覆盖层，也能够实现透明电极层和Al合金电极层的直接接合的接合结构。本发明的具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的液晶显示元件的接合结构的特征是，Al合金电极层中分散了具有－1.2V～－0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。 | ||
| 申请公布号 | CN1774666A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200580000295.1 | 申请日期 | 2005.03.22 |
| 申请人 | 三井金属鉱业株式会社 | 发明人 | 久保田高史;松浦宜範;池田真;加藤和照 |
| 分类号 | G02F1/1343(2006.01);G09F9/30(2006.01);G09F9/35(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1343(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1.薄膜电路的接合结构，它是具备透明电极层和与该透明电极层直接接合的Al合金电极层的薄膜电路的接合结构，其特征在于，Al合金电极层中分散了具有-1.2V～-0.6V的范围内的氧化还原电位的析出物。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||