| 发明名称 | 多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种多位非易失性存储器件、操作该器件的方法以及制造多位非易失性存储器件的方法。形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元包括：垂直于半导体衬底的上表面设置的多个沟道；垂直于半导体衬底的上表面在沟道相对侧设置的多个存储节点；围绕沟道及存储节点的上部分和存储节点的侧表面的控制栅极；以及形成在沟道和存储节点之间、沟道和控制栅极之间、以及存储节点和控制栅极之间的绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1773711A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510084791.1 | 申请日期 | 2005.07.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴允童;徐顺爱;赵重来;金元柱;申尚旻 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成在半导体衬底上的多位非易失性存储器件的单位单元，所述单位单元包括：第一绝缘膜；第一和第二沟道，其垂直于所述半导体衬底的上表面设置在所述第一绝缘膜上；第一和第二存储节点，其垂直于所述半导体衬底的所述上表面在所述沟道的相对侧设置在所述第一绝缘膜上；控制栅极，其围绕所述存储节点和所述沟道的上部分及所述存储节点的侧表面；及第二绝缘膜，其形成在所述沟道和所述存储节点之间、所述沟道和所述控制栅极之间及所述存储节点和所述控制栅极之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||