发明名称 |
使用被测的主要成分光谱和/或基于获得的光谱对薄膜的非破坏性表征 |
摘要 |
本发明提供了提供使用比较过程(例如,匹配过程)比较元素和/或化学物质的被测峰值形态(例如,先前所测量的在某一被监测的特定程序下硅的峰值形态)和采集的光谱数据(例如,使用非线性最小二乘拟合算法)用于膜层的表征。进一步地,本发明使用采集的光谱数据提供膜层(例如,氮氧化硅膜厚度的测定)的表征。例如,已获得的光谱可以是累积合成的并且该合成光谱的几何特征可用于确定成分的浓度信息。薄膜的厚度测量可以基于上述的成分浓度信息被提供。 |
申请公布号 |
CN1774611A |
申请公布日期 |
2006.05.17 |
申请号 |
CN200380110010.0 |
申请日期 |
2003.12.23 |
申请人 |
物理电子公司 |
发明人 |
P·E·拉森;D·G·沃森;J·F·莫尔德 |
分类号 |
G01B11/06(2006.01);G01B15/02(2006.01);G01N23/227(2006.01) |
主分类号 |
G01B11/06(2006.01) |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 |
代理人 |
周建秋;王凤桐 |
主权项 |
1.一种用于表征膜层的方法,该方法包括:提供代表膜层的至少一种成分浓度的至少一个被测光谱峰形,其中该膜层通过由一系列过程条件定义的特定过程形成在基底上;提供用于待表征的附加膜层的已获得的光谱,其中该附加膜层通过由一系列过程条件定义的特定过程形成在基底上;将所述至少一个被测光谱峰形与已获得的光谱进行比较;以及基于所述比较为待表征膜层确定至少一个厚度测量。 |
地址 |
美国明尼苏达州 |