| 发明名称 | 金属氧化物半导体晶体管电路 | ||
| 摘要 | 通过响应于电源的波动而动态地改变MOS晶体管(P1)的基底偏压来补偿MOS晶体管(P1)的电流性能的降低，因此自动稳定操作速度。NMOS晶体管(N2)产生响应于电源电压的波动程度而改变的电流(I2)，然后所述电流(I2)经由电阻器(R3)被转换为电压以向MOS晶体管(P1)的基底(后栅极)施加正向偏压。当由于电源电压的降低而降低MOS晶体管(P1)的电流性能时，自动执行调整以降低MOS晶体管的门限电压，因此可以补偿操作速度。 | ||
| 申请公布号 | CN1773705A | 申请公布日期 | 2006.05.17 |
| 申请号 | CN200510120416.8 | 申请日期 | 2005.11.10 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 堤正范 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1.一种在半导体集成电路中使用的MOS晶体管电路，包括：第一导电类型MOS半导体元件；电阻器元件，它被插入所述第一导电类型MOS半导体元件的源极和所述第一导电类型MOS半导体元件的基底之间；以及调整部分，用于响应于在第一导电类型MOS半导体元件的源极中的电压降值而调整流过所述电阻器元件的电流的幅度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||