| 摘要 |
一种半导体发光元件及其制作方法，本发明系于该第一电极与部分之反射层区域外镀上一阻隔壁，再以电镀方式形成一金属柱于前述非阻隔壁之区域上，利用一准分子雷射均匀照射在蓝宝石基底上，促使其脱离该半导体缓冲层，及以腐蚀法腐蚀该第一导电性磊晶层表面，使其表面成一粗糙面；俾藉该导热佳之金属柱使封装后之半导体发光元件之导电电极具有良好的散热性，对于需大电流之高功率蓝色及绿色发光二极体(LED)将使元件本身具有良好的散热性，同时，该表面成粗糙表面之第一导电性磊晶层，光的取出效率将会因全反射机率降低而增加，使半导体发光元件之亮度增加。 |
