高度阵列式排列具掺杂元素之P型氧化锌奈米结构制造方法

摘要

本发明一种高度阵列式排列具掺杂元素之P型氧化锌奈米结构制造方法，其系在镀有氧化锌薄膜的矽基板上，经由化学溶液法在低温(55–95℃)环境下成长阵列式排列之氧化锌奈米结构，接着再经过氨气(NH3)电浆处理使氮离子藉着表面吸附或缺陷路径来扩散而形成氮掺杂P型氧化锌奈米结构。因此，本发明可制造规则排列的氮掺杂氧化锌奈米线，并且可应用在p–n接面和半导体异质结构的光电元件上，具有高可靠、低热处理成本、快速热处理、元件产出效率高等功效。