发明名称 半导体记忆装置之本地输入/输出线预充电电路
摘要 本发明揭示一种半导体记忆体装置之本地输入/输出线预充电电路,其包含一预充电控制单元、一等化单元及一资料输出单元。回应当一写入操作继续时所致动的连续写入信号,该预充电控制单元将一预充电控制信号输出到一对本地输入/输出线。回应该预充电控制信号,该等化单元将该对本地输入/输出线预充电及等化。回应来自该等化单元之输出信号,该资料输出单元将一对全球输入/输出线之资料信号输出到该对本地输入/输出线。在该电路中,一本地输入/输出线预充电操作并非在一连续写入模式下执行,藉此降低电流消耗。
申请公布号 TW200615968 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094113102 申请日期 2005.04.25
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 河成周;赵浩烨
分类号 G11C7/00 主分类号 G11C7/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国
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