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发明名称
具有晶片上终结电路的半导体记忆元件
摘要
本发明系关于一种具有稳定有效的终结电阻值及可稳定化阻抗失配之片内终结电路。片内终结电路包括:一解码单元,用以对一扩展模式暂存器组之设定值作解码;一ODT(片内终结器)输出驱动器单元,含有复数个并联连接于一输出节点之输出驱动器单元,该等输出驱动器单元的电阻值均为不同;及一控制信号产生单元,用以产生复数个上牵及下拉控制信号而可响应于解码单元之输出信号以对该等复数个输出驱动器单元予以导通/切断。
申请公布号
TW200615964
申请公布日期
2006.05.16
申请号
TW093140854
申请日期
2004.12.28
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
金溶美
分类号
G11C5/00
主分类号
G11C5/00
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
韩国
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