输出入单元之电压容差构造

摘要

一种输入／输出(I／O)缓冲器具有一输入模式及耦接于第一与第二供应电压之间，该输入／输出缓冲器包括：一PMOS上拉电晶体，制造于一nwell中；以及一闸极偏压控制电晶体，耦接至该PMOS上拉电晶体之闸极，用以耦接该PMOS上拉电晶体之闸极至一输入／输出节点以回应一输入信号，其中该输入信号大约具有一大于该第一供应电压之电压。一井偏压控制电路耦接至该PMOS上拉电晶体且耦接至一井驱动电晶体以耦接该nwell端至该第一供应电压以回应该输入信号，其中该输入信号具有一大约等于或小于该第一供应电压之电压。