p型氧化锌薄膜之制作方法

摘要

本发明系为一p型氧化锌薄膜之制作方法，其为在镀有氮化矽薄膜的矽基板上，经由磁控射频溅镀法，在低温(50℃)成长氧化锌薄膜，再经过氮离子布值处理及热退火处理，改善其结晶性，并提升本质性紫外光区讯号，降低可见光放射强度，使其具有高电洞浓度、高电洞载子迁移率、高稳定性及光电特性佳等特性，可应用于p–n接面和半导体异质结构的光电元件上。