互补式金氧半导体元件之源极和汲极寄生电容的降低

摘要

一种制造以一半导体为基础之元件的方法，包含提供一掺杂半导体基板，将一第二掺杂物引入该基板以定义一pn接面，及将一中和物类引入该pn接面附近基板中，以降低与该pn接面有关之电容。一种以半导体为基础之元件，包含一具有第一及第二掺杂物之半导体基板及一中和物类。该第一及第二掺杂物定义一pn接面，且该中和物类中和该pn接面附近中之一部分第一掺杂物，以降低与该pn接面有关之电容。