| 摘要 |
一移位暂存器电路之每一级具有一连接至前一级之输出之第一输入(Rn–1)、一用于将一第一时钟电源线电压(Pn)耦接至该级之输出(Rn)之驱动电晶体(Tdrive)、一用于补偿该驱动电晶体之寄生电容效应之补偿电容器(C1)、一连接在该驱动电晶体之闸极与该级之输出(Rn)之间之第一自举(bootstrap)电容器(C2)以及一用于对该第一自举电容器(C2)进行充电并且受该第一输入(Rn–1)控制之输入电晶体(Tin1)。每一级具有一输入区段(10)，该输入区段耦接至该级两级前之级之输出(Rn–2)，该输入区段具有一连接在该输入电晶体(Tin1)之闸极与该第一输入(Rn–1)之间之第二自举电容器(C3)。采用两个自举电容器而使得该电路对临限电压位准或变化较不敏感，并且实现采用非晶矽技术之实施方式。 |
