藉由埋式p+矽锗层阳极化之应变绝缘层上矽STRAINED SILICON-ON-INSULATOR BY ANODIZATION OF A BURIED P+ SILICON GERMANIUM LAYER

摘要

本案提供一具经济效益且可大量制造之应变绝缘层上半导体(strained semiconductor–on–insulator, SSOI)制造方法，其可避免晶圆键合。此方法包含生长不同的磊晶半导体层于一基板上，其中至少一个半导体层为一掺杂且松弛的(doped and relaxed)半导体层，且位于一应变半导体层底下；经由一电解阳极化(electrolytic anodization)制程将此掺杂且松弛的半导体层转变为一多孔(porous)半导体层，并氧化多孔半导体层而将其转变为一埋式氧化层。此方法提供一SSOI基板，其包含一松弛的半导体层于一基板上；一高品质的埋式氧化层于此松弛的半导体层上；以及一应变半导体层于此高品质埋式氧化层上。依据本发明，此松弛的半导体层和此应变半导体层具有相同的结晶方向。