P型通道反及闸型快闪记忆体及其操作方法

摘要

一种P型通道反及闸型快闪记忆体，包括多数个记忆胞串联连接于P型源极区与P型汲极区之间；各记忆胞至少包括穿隧介电层、浮置闸极及控制闸极，在每两相邻记忆胞之间设置有抹除闸极，且在两相邻记忆胞之间的基底中设置有P型掺杂区，在最靠近P型汲极区之记忆胞与P型汲极区之间设置有选择电晶体。此种P型通道NAND(反及闸)型快闪记忆体系利用频带间穿隧热电子注入效应进行记忆胞之程式化操作，并利用F–N穿隧效应(F–N Tunneling)进行记忆胞之抹除操作。