非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，包括基底、堆叠闸极结构、导体间隙壁、氧化矽／氮化矽／氧化矽层、埋入式掺杂区、控制闸极及绝缘层。堆叠闸极结构设置于基底上，此堆叠闸极结构由基底起依序为闸介电层、选择闸极及顶盖层。导体间隙壁设置于堆叠闸极结构侧壁。氧化矽／氮化矽／氧化矽层设置于导体间隙壁与堆叠闸极结构之间及导体间隙壁与基底之间。埋入式掺杂区设置于具有导体间隙壁之堆叠闸极结构两侧之基底中。控制闸极设置于堆叠闸极结构上，并电性连接导体间隙壁。绝缘层设置于埋入式掺杂区与控制闸极之间。