| 摘要 |
本发明揭示一种能量脉冲箝制半导体二极体(16)，其包含一基板(20)，其具一第一高浓度位准(例如n＋＋)之一第一类型传导率之载体、一第一主面及一与该第一主面相对之第二主面；一层半导体材料(22)，其具一较该第一位准低之第二浓度位准(例如n＋)之该第一类型传导率之载体并具一外表面；一区域(26)，其形成于一具一第三浓度位准(例如p＋)之一第二类型传导率之载体之外表面处；至少一单元，其具一较该第三浓度位准高之第四浓度位准(例如p＋＋)之该第二类型传导率之载体；一阴极(30)及一阳极(28)。该二极体极佳被纳于一包含一与该阴极串联并热耦合至该二极体之PPTC电阻之过电压保护电路。 |
