利用应变矽形成半导体装置之方法以及半导体装置

摘要

本发明揭示一种利用应变矽形成半导体装置之方法，包括：形成具有第一晶格常数之第一基板材料于装置基板上，再形成具有第二晶格常数之第二基板材料于第一基板材料上。利用第一、第二基板材料定义场效电晶体之通道、源极以及汲极区，接着植入一或多种杂质材料于源极以及汲极区。最后，利用钨卤素灯之外的其他快速加热源回火该电晶体。