| 摘要 |
本发明提供一种可于密封EL元件前推断TFT阵列之亮度不均一之测试装置。本发明藉由一种测试方法解决上述课题，该测试方法系将具备像素选择电晶体以及驱动电晶体之像素配置成矩阵状之TFT阵列基板的之测试方法，上述像素选择电晶体具有由第一构造材料构成之闸极、以及由第二构造材料构成之源极以及汲极，上述驱动电晶体具有由第一构造材料构成之闸极、以及由第二构造材料构成之源极以及汲极；且该测试方法包含：对像素选择电晶体之汲极施加第一电压，使上述源极电压初始化之第一步骤；对像素选择电晶体之汲极施加第二电压，并测定流动于像素选择电晶体之汲极．源极间之电流的第二步骤；以及由电流以及第一电压与第二电压之电位差，求出上述像素选择电晶体之接通电阻之第三步骤。 |
